- Объём: 250 ГБ
- Форм-фактор: M.2
- Интерфейс: PCI Express 3.0 x4
- Версия: NVMe 1.4
- Тип микросхем Flash: 3D TLC NAND
- Контроллер: Samsung Pablo
- Размеры устройств M.2: 2280
- Ресурс записи:150 TBW
- Аппаратное шифрование: AES 256bit
- Скорость последовательного чтения: 2 900 Мбайт/с
- Скорость последовательной записи: 1 300 Мбайт/с
- Средняя скорость случайного чтения: 230 000 IOps
- Средняя скорость случайной записи: 320 000 IOps
- Энергопотребление (чтение/запись): 5.6 Вт
- Энергопотребление (ожидание): 0.045 Вт
- Время наработки на отказ (МТBF): 1 500 000 ч
- Толщина: 2.38 мм
Гарантия: 1 год
Страна производства: Китай
Изготовитель: Samsung , Самсунг Электроникс, Самсунг-ро, Енгтонг-гу, г. Сувон, Кёнги-до, 16677, Республика Корея / Samsung Electronics Co., Ltd., Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 16677, Republic of Korea
Поставщик в РБ: Нереида, 220073, г. Минск,ул.Ольшевского, д.10А, пом.7
